MOSFET大致可以分為以下幾類:平面型MOSFET;Trench (溝槽型)MOSFET,主要用于低壓領(lǐng)域;SGT(Shielded Gate Transistor,屏蔽柵溝槽)MOSFET,主要用于中壓和低壓領(lǐng)域;SJ-(超結(jié))MOSFET,主要在高壓領(lǐng)域應(yīng)用。隨著手機(jī)快充、電動(dòng)汽車、無刷電機(jī)和鋰電池的興起,中壓MOSFET的需求越來越大,中壓功率器件開始蓬勃發(fā)展,因其巨大的市場份額,國內(nèi)外諸多廠商在相應(yīng)的新技術(shù)研發(fā)上不斷加大投入。SGT MOSFET作為中MOSFET的代表,被作為開關(guān)器件廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、逆變器系統(tǒng)及電源管理系統(tǒng),是核心功率控制部件。SGT MOSFET結(jié)構(gòu)具有電荷耦合效應(yīng),在傳統(tǒng)溝槽MOSFET器件PN結(jié)垂直耗盡的基礎(chǔ)上引入了水平耗盡,將器件電場由三角形分布改變?yōu)榻凭匦畏植迹诓捎猛瑯訐诫s濃度的外延材料規(guī)格情況下,器件可以獲得更高的擊穿電壓。較深的溝槽深度,可以利用更多的硅體積來吸收EAS能量,所以SGT在雪崩時(shí)可以做得更好,更能承受雪崩擊穿和浪涌電流。在開關(guān)電源,電機(jī)控制,動(dòng)力電池系統(tǒng)等應(yīng)用領(lǐng)域中,SGT MOSFET配合先進(jìn)封裝,非常有助于提高系統(tǒng)的效能和功率密度。
SGT相對傳統(tǒng)Trench結(jié)構(gòu),具有低Qg 的特點(diǎn)。屏蔽柵結(jié)構(gòu)的引入,可以降低MOSFET的米勒電容CGD達(dá)10倍以上,有助于降低器件在開關(guān)電源應(yīng)用中的開關(guān)損耗。另外,CGD/CGS的低比值也是目前同步整流應(yīng)用中抑制shoot-through的關(guān)鍵指標(biāo),采用SGT結(jié)構(gòu),可以獲得更低的CGD/CGS比值。
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